专家简介

沈湛，东南大学电气工程学院副研究员。丹麦奥尔堡大学博士，受邀在IEEE WiPDA Asia等国际会议做特邀报告，美国麻省理工学院、德国亚琛工业大学访问学者。荣获IEEE PEAS、ICRERA等会议论文奖，曾任IEEE丹麦奥尔堡学生协会秘书、IEEE IPEMC国际会议分会场主席。主要从事磁性元件、可靠性、 EMI等方面研究。

报告简要

沈湛副研究员分享了高频磁性元件分布电容与交流电阻建模研究的报告，考虑了绕组结构及磁芯影响，提出了改进的分布电容与交流绕组模型，有助于提升寄生参数模型精度，增强元件性能。

• 高频应用中磁元件的电容及电阻引起电流振荡、效率降低、温升提高等一系列问题；
• 电容建模及交流电阻建模中需要考虑绕组结构及磁芯的影响；
• 依据建模及电磁机理研究，进一步优化设计、提出新结构磁元件，增强元件性能。