碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），具有击穿场强高、开关损耗小、耐温耐候特性强等优点，具有逐步取代传统硅基功率半导体的发展趋势。高压电力电子模块发展的核心是研发具有更高性能的高压功率半导体及与之匹配的可靠封装。

使用宽禁带功率半导体能进一步提升高压功率模块的变换效率、功率密度和可靠性。受封装技术研发的限制，目前高压电力电子模块参数远未达到宽禁带半导体材料的极限参数。研究与宽禁带功率半导体匹配的封装技术是高压电力电子模块发展的重点方向之一。

团队研发的空间电荷与电流联合测试技术，通过上海计量测试中心的检测，中国电工技术学会鉴定为国际先进，部分参数国际领先。